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且红笔所接的脚是K极，黑笔接的脚是G极，剩下一个脚就是A极了。如果测量的结果中，有两个脚的正、反向值都是几十至几百欧，那么这个可控硅就是双向可控硅。而且有一次测量的阻值比另一次测量的阻值稍大些，需要认真对比，阻值稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。双向可控硅图可控硅好坏的判断：就拿常见的额定6A以下的可控硅来说明：单向可控硅，将万用表打到RX1档红笔接K极，黑笔同时接通A极，并保持黑笔不离A极情况下断G极，指针应指示几十欧至一百欧，说明可控硅能被正常触发导通。


当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。