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场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。


另外，校准5502A的电阻功能时，根据测试点数值使用8508A电阻测量功能的手动量程，避免设置在自动量程时，测量仪表在寻找合适量程的同时，校准器也在寻找合适的工作电流，使得两台仪器不能尽快选择到合适的量程和合适的电流范围，而不能正常测量，长时间得不到正确的测量结果。在校准5520A和5522A电阻功能时，在36MΩ，110MΩ两个校准测试点，不确定度为1.7和2.7。不能满足校准要求。可以应用校准边界保证(Guardbanding)，在校准调整时，更严格地控制校准器的偏移，来满足校准的要求。

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